IPL65R165CFDAUMA1 Scheda dati
Specifiche per IPL65R165CFDAUMA1
Numero parte : IPL65R165CFDAUMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 4VSON
Serie : CoolMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 21.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2340pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 195W (Tc)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-VSON-4
Pacchetto / caso : 4-PowerTSFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 4VSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
228215 pezzi
Prezzo di riferimento
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