IPI120P04P4L03AKSA1 Scheda dati
Specifiche per IPI120P04P4L03AKSA1
Numero parte :
IPI120P04P4L03AKSA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET P-CH TO262-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 340µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
234nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
15000pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
136W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-TO262-3-1
Pacchetto / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH TO262-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
23248 pezzi
Prezzo di riferimento
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