IPI037N08N3GXKSA1 Scheda dati
Specifiche per IPI037N08N3GXKSA1
Numero parte : IPI037N08N3GXKSA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 80V 100A
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.75 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 155µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 117nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 8110pF @ 40V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 214W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO262-3
Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 80V 100A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
218140 pezzi
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