IPG20N04S4L11AATMA1 Scheda dati
Specifiche per IPG20N04S4L11AATMA1
Numero parte : IPG20N04S4L11AATMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.6 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 15µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1990pF @ 25V
Potenza - Max : 41W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TDSON-8-10
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
972085 pezzi
Prezzo di riferimento
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