IPD65R950CFDBTMA1 Scheda dati
Specifiche per IPD65R950CFDBTMA1
Numero parte : IPD65R950CFDBTMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
Serie : CoolMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14.1nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 36.7W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
793110 pezzi
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