IPC60R190E6X1SA1 Scheda dati
Specifiche per IPC60R190E6X1SA1
Numero parte : IPC60R190E6X1SA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH BARE DIE
Serie : *
Stato parte : Active
Tipo FET : -
Tecnologia : -
Drain to Source Voltage (Vdss) : -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : -
temperatura di esercizio : -
Tipo di montaggio : -
Pacchetto dispositivo fornitore : -
Pacchetto / caso : -
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH BARE DIE
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
246455 pezzi
Prezzo di riferimento
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