IPC045N10L3X1SA1 Scheda dati
Specifiche per IPC045N10L3X1SA1
Numero parte : IPC045N10L3X1SA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 33µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : -
temperatura di esercizio : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : Sawn on foil
Pacchetto / caso : Die
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1188205 pezzi
Prezzo di riferimento
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