IPB038N12N3GATMA1 Scheda dati
Specifiche per IPB038N12N3GATMA1
Numero parte : IPB038N12N3GATMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 211nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 13800pF @ 60V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
143965 pezzi
Prezzo di riferimento
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