IDC51D120T6MX1SA3 Scheda dati
Specifiche per IDC51D120T6MX1SA3
Numero parte : IDC51D120T6MX1SA3
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Corrente: media rettificata (Io) : 100A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 2.05V @ 100A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : -
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 18µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : Die
Pacchetto dispositivo fornitore : Sawn on foil
Temperatura operativa - Giunzione : -40°C ~ 175°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
61520 pezzi
Prezzo di riferimento
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