HUF75309T3ST Scheda dati
Specifiche per HUF75309T3ST
Numero parte : HUF75309T3ST
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 20V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 352pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.1W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-223-4
Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-HUF75309T3ST
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
70020 pezzi
Prezzo di riferimento
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