Specifiche per HGTP10N120BN

Numero parte : HGTP10N120BN
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Tipo IGBT : NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 35A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) : 80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
Potenza - Max : 298W
Cambiare energia : 320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo di input : Standard
Carica del cancello : 100nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C : 23ns/165ns
Condizione di test : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) : -
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
262110 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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