HAT2160H-EL-E Scheda dati
Specifiche per HAT2160H-EL-E
Numero parte : HAT2160H-EL-E
fabbricante : Renesas Electronics America
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7750pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 30W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : LFPAK
Pacchetto / caso : SC-100, SOT-669
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
355315 pezzi
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