H7N1002LSTL-E Scheda dati
Specifiche per H7N1002LSTL-E
Numero parte :
H7N1002LSTL-E
fabbricante :
Renesas Electronics America
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V LDPAK
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
75A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
9700pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
100W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
4-LDPAK
Pacchetto / caso :
SC-83
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V LDPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
21736 pezzi
Prezzo di riferimento
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