Specifiche per GP2M011A090NG

Numero parte : GP2M011A090NG
fabbricante : Global Power Technologies Group
Descrizione : MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3240pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 416W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3PN
Pacchetto / caso : TO-3P-3, SC-65-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
21248 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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