GA50JT06-258 Scheda dati
Specifiche per GA50JT06-258
Numero parte : GA50JT06-258
fabbricante : GeneSiC Semiconductor
Descrizione : TRANS SJT 600V 100A
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : -
Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 769W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-258
Pacchetto / caso : TO-258-3, TO-258AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-GA50JT06-258
fabbricante
Breve descrizione
TRANS SJT 600V 100A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9060 pezzi
Prezzo di riferimento
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