GA10JT12-263 Scheda dati
Specifiche per GA10JT12-263
Numero parte : GA10JT12-263
fabbricante : GeneSiC Semiconductor
Descrizione : TRANS SJT 1200V 25A
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : -
Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1403pF @ 800V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 170W (Tc)
temperatura di esercizio : 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : -
Pacchetto / caso : -
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-GA10JT12-263
fabbricante
Breve descrizione
TRANS SJT 1200V 25A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
32480 pezzi
Prezzo di riferimento
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