FQI4N25TU Scheda dati
Specifiche per FQI4N25TU
Numero parte : FQI4N25TU
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
Serie : QFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.75 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3.13W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FQI4N25TU
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
50982 pezzi
Prezzo di riferimento
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