FQA10N80C-F109 Scheda dati
Specifiche per FQA10N80C-F109
Numero parte :
FQA10N80C-F109
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
Serie :
QFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
240W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-3P
Pacchetto / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
116315 pezzi
Prezzo di riferimento
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