FDU8586 Scheda dati
Specifiche per FDU8586
Numero parte : FDU8586
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2480pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 77W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : I-PAK
Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FDU8586
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9003 pezzi
Prezzo di riferimento
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