FDR6580 Scheda dati
Specifiche per FDR6580
Numero parte : FDR6580
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 11.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3829pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.8W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT™-8
Pacchetto / caso : 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FDR6580
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
69320 pezzi
Prezzo di riferimento
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