Specifiche per FDC6322C

Numero parte : FDC6322C
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 220mA, 460mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9.5pF @ 10V
Potenza - Max : 700mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT™-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
26495 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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