ESH3B V6G Scheda dati
Specifiche per ESH3B V6G
Numero parte : ESH3B V6G
fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Corrente: media rettificata (Io) : 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : -
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214AB (SMC)
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-ESH3B V6G
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
3608075 pezzi
Prezzo di riferimento
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