EPC2100ENGRT Scheda dati
Specifiche per EPC2100ENGRT
Numero parte : EPC2100ENGRT
fabbricante : EPC
Descrizione : GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Serie : eGaN®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Potenza - Max : -
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : Die
Pacchetto dispositivo fornitore : Die
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-EPC2100ENGRT
fabbricante
Breve descrizione
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
99235 pezzi
Prezzo di riferimento
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