EMD4T2R Scheda dati
Specifiche per EMD4T2R
Numero parte : EMD4T2R
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Serie : -
Stato parte : Active
Transistor Type : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : 47 kOhms, 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) : 47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) : 500nA
Frequenza - Transizione : 250MHz
Potenza - Max : 150mW
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore : EMT6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-EMD4T2R
fabbricante
Breve descrizione
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4677940 pezzi
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