ECH8690-TL-H Scheda dati
Specifiche per ECH8690-TL-H
Numero parte : ECH8690-TL-H
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate, 4V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.7A, 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 955pF @ 20V
Potenza - Max : 1.5W
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-ECH
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-ECH8690-TL-H
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1451960 pezzi
Prezzo di riferimento
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