ECH8308-TL-H Scheda dati
Specifiche per ECH8308-TL-H
Numero parte : ECH8308-TL-H
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET P-CH 12V 10A ECH8
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.5 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2300pF @ 6V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.6W (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-ECH
Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-ECH8308-TL-H
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 12V 10A ECH8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1526925 pezzi
Prezzo di riferimento
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