DN3765K4-G Scheda dati
Specifiche per DN3765K4-G
Numero parte : DN3765K4-G
fabbricante : Microchip Technology
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 300mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 150mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 825pF @ 25V
Caratteristica FET : Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252-3
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-DN3765K4-G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
205320 pezzi
Prezzo di riferimento
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