DMT3011LDT-7 Scheda dati
Specifiche per DMT3011LDT-7
Numero parte : DMT3011LDT-7
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8A, 10.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 641pF @ 15V
Potenza - Max : 1.9W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore : V-DFN3030-8 (Type K)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-DMT3011LDT-7
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1157780 pezzi
Prezzo di riferimento
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