Specifiche per DMP2010UFG-7

Numero parte : DMP2010UFG-7
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 103nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3350pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 900mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerDI3333-8
Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
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quantità disponibile
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Prezzo di riferimento
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