DMN65D8LFB-7B Scheda dati
Specifiche per DMN65D8LFB-7B
Numero parte : DMN65D8LFB-7B
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 260mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 430mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : X1-DFN1006-3
Pacchetto / caso : 3-UFDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9611650 pezzi
Prezzo di riferimento
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