DMN63D8LDW-13 Scheda dati
Specifiche per DMN63D8LDW-13
Numero parte : DMN63D8LDW-13
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 870nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
Potenza - Max : 300mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-363
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
10084255 pezzi
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