DMN2013UFX-7 Scheda dati
Specifiche per DMN2013UFX-7
Numero parte : DMN2013UFX-7
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Serie : Automotive, AEC-Q101
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 57.4nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2607pF @ 10V
Potenza - Max : 2.14W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-VFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore : W-DFN5020-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-DMN2013UFX-7
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1488570 pezzi
Prezzo di riferimento
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