Specifiche per DMN2008LFU-7

Numero parte : DMN2008LFU-7
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 14.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 42.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1418pF @ 10V
Potenza - Max : 1W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore : U-DFN2030-6 (Type B)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1666685 pezzi
Prezzo di riferimento
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