DMG6898LSDQ-13 Scheda dati
Specifiche per DMG6898LSDQ-13
Numero parte :
DMG6898LSDQ-13
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1149pF @ 10V
Potenza - Max :
1.28W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SO
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1157780 pezzi
Prezzo di riferimento
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