Specifiche per CSD87503Q3ET

Numero parte : CSD87503Q3ET
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET COMM
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1020pF @ 15V
Potenza - Max : 15.6W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSON (3.3x3.3)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET COMM
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
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quantità disponibile
697085 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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