Specifiche per CSD87335Q3D

Numero parte : CSD87335Q3D
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 15V
Potenza - Max : 6W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerLDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-LSON (3.3x3.3)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
617420 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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