CSD87312Q3E Scheda dati
Specifiche per CSD87312Q3E
Numero parte : CSD87312Q3E
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 7A , 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1250pF @ 15V
Potenza - Max : 2.5W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSON (3.3x3.3)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CSD87312Q3E
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1084425 pezzi
Prezzo di riferimento
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