CSD86356Q5D Scheda dati
Specifiche per CSD86356Q5D
Numero parte : CSD86356Q5D
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET : Logic Level Gate, 5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
Potenza - Max : 12W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSON-CLIP (5x6)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CSD86356Q5D
fabbricante
Breve descrizione
25V POWERBLOCK N CH MOSFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
406325 pezzi
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