CSD86311W1723 Scheda dati
Specifiche per CSD86311W1723
Numero parte : CSD86311W1723
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 2A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 585pF @ 12.5V
Potenza - Max : 1.5W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 12-UFBGA, DSBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 12-DSBGA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1018300 pezzi
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