Specifiche per CSD85302LT

Numero parte : CSD85302LT
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : MOSFET 2N-CH
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potenza - Max : 1.7W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 4-XFLGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 4-Picostar (1.31x1.31)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1217720 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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