CSD19506KTTT Scheda dati
Specifiche per CSD19506KTTT
Numero parte :
CSD19506KTTT
fabbricante :
Texas Instruments
Descrizione :
IC MOSFET N-CH 80V TO-220
Serie :
NexFET™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
200A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
156nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
12200pF @ 40V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
375W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
DDPAK/TO-263-3
Pacchetto / caso :
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CSD19506KTTT
fabbricante
Breve descrizione
IC MOSFET N-CH 80V TO-220
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
119730 pezzi
Prezzo di riferimento
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