CSD19506KTT Scheda dati
Specifiche per CSD19506KTT
Numero parte : CSD19506KTT
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 156nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 12200pF @ 40V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 375W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DDPAK/TO-263-3
Pacchetto / caso : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CSD19506KTT
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
161515 pezzi
Prezzo di riferimento
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