Specifiche per CSD17575Q3T

Numero parte : CSD17575Q3T
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4420pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 108W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
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quantità disponibile
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Prezzo di riferimento
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