CSD17382F4 Scheda dati
Specifiche per CSD17382F4
Numero parte : CSD17382F4
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA
Serie : FemtoFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 64 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 347pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 3-PICOSTAR
Pacchetto / caso : 3-XFDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CSD17382F4
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4723300 pezzi
Prezzo di riferimento
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