CSD16409Q3 Scheda dati
Specifiche per CSD16409Q3
Numero parte : CSD16409Q3
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta), 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : +16V, -12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 12.5V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.6W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSONP (5x6)
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CSD16409Q3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1197145 pezzi
Prezzo di riferimento
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