Specifiche per CPH3459-TL-W

Numero parte : CPH3459-TL-W
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 500mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.4nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 90pF @ 20V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 3-CPH
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2757440 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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