BSS159NH6327XTSA2 Scheda dati
Specifiche per BSS159NH6327XTSA2
Numero parte :
BSS159NH6327XTSA2
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
Serie :
SIPMOS®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
230mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 26µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1.4nC @ 5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
39pF @ 25V
Caratteristica FET :
Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) :
360mW (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SOT-23-3
Pacchetto / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2702455 pezzi
Prezzo di riferimento
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