BSO615CT Scheda dati
Specifiche per BSO615CT
Numero parte : BSO615CT
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Serie : SIPMOS®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.1A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 25V
Potenza - Max : 2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-DSO-8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-BSO615CT
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
26635 pezzi
Prezzo di riferimento
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