BSO130P03SHXUMA1 Scheda dati
Specifiche per BSO130P03SHXUMA1
Numero parte : BSO130P03SHXUMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 140µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3520pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.56W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : P-DSO-8
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
772255 pezzi
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