BSO080P03NS3GXUMA1 Scheda dati
Specifiche per BSO080P03NS3GXUMA1
Numero parte : BSO080P03NS3GXUMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6750pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.6W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-DSO-8
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1104140 pezzi
Prezzo di riferimento
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